溢出HBM之外的供给缺口:把韩亚证券的三份报告读成一个故事

将韩亚证券的三份报告整合为一个框架。三大厂转向HBM与DDR5所造成的供给缺口,正外溢至封装基板(大德电子、Simmtech、海成DS)、eSSD控制器(ASICLAND、FADU)和传统内存(兆易创新)。这是内存景气宽度已扩展到HBM之外的证据,并逐一梳理各环节的验证要点。此为报告摘要,非投资建议。

背景关联 本文是SK海力士2季度利润下调与目标价维持长鑫存储IPO与内存价格风险中讨论的HBM集中与传统DRAM风险格局的后续篇。FADU eSSD轴线部分建议搭配FADU 2Q26业绩前瞻阅读,基板轴线部分建议搭配AI PCB系统瓶颈论据阅读。相关专题为AI HBM专题Exclusive Analysis专题

要点

  • 把韩亚证券最近两周发布的三份报告放进同一个框架看,其实是同一个故事的三个场景。三大厂转向HBM和DDR5所形成的供给缺口,正在向相邻价值链外溢。
  • 场景一,封装基板:DDR5、LPDDR5的大面积化、高层数化正在侵蚀基板的实质产能。缺货信号是LTA的签订(大德电子、Simmtech、海成DS)。
  • 场景二,eSSD控制器:AI数据中心需求推动企业级SSD暴增,SK海力士选择本土设计公司ASICLAND作为Gen6控制器合作伙伴。面向FADU的Gen6预计2027年下半年量产。
  • 场景三,传统内存:三大厂让出的DDR4、SLC NAND空白,由中国的兆易创新填补。最近一年SLC NAND ASP上涨约5倍,传统DRAM ASP上涨约10倍。
  • 内存景气的宽度已经扩展到HBM之外。不过三条轴线都有需要确认的验证要点:基板看LTA公告、售价、稼动率;eSSD看FADU的正式订单与营收确认;传统内存看中国填补空白的速度。[分析范围: 报告摘要]

核心论点
三份报告分别聚焦不同个股,但收敛为同一句话。三大厂对HBM、DDR5的集中投入所形成的供给缺口,正外溢至封装基板、eSSD控制器和传统内存,将内存景气的宽度扩展到HBM之外。

贯穿框架:一个缺口,三条外溢路径

三份报告分开读,是互不相关的个股故事。但叠加起来看,是同一个原因分出的三个结果。

原因:三大厂(三星电子、SK海力士、美光)将有限的晶圆和后段工序资源集中投向HBM和DDR5。结果是相邻零部件和传统产品出现供给缺口。

外溢:这个缺口向三个方向扩散。

场景供给缺口的位置受益轴线缺货/成长信号
1内存封装基板大德电子、Simmtech、海成DSLTA签订,售价上调
2eSSD控制器ASICLAND、FADUSK海力士采用Gen6,量产合约
3传统DRAM、SLC NAND兆易创新(中国)ASP暴涨,业绩超预期

下文按报告原文数据逐一梳理各场景。


场景一:封装基板,产能正被悄悄侵蚀

第一份报告是韩亚证券金玟京分析师撰写的《内存封装基板行业买入建议》(2026年7月3日)。[事实: 韩亚证券报告]

论据:售价下调担忧是杞人忧天,实际反而是供给不足

受Meta对外出租计算资源消息引发的AI泡沫担忧,以及下半年基板售价下调的媒体报道影响,大德电子、Simmtech、海成DS股价出现大幅调整。报告的判断是这次调整反而是买入机会。原因是目前保持高营业利润率的内存IDM厂商缺乏下调售价的动机。

核心逻辑是实质产能的侵蚀

  • 内存封装基板产能自2020-2022年大规模扩产后已陷入停滞。
  • 但当时的主力产品是DDR4、LPDDR4,而目前的主力产品是DDR5、LPDDR5/5X。
  • 内存高性能化和裸片尺寸扩大导致基板大面积化、高层数化,同等产能下能生产的基板数量随之减少。
  • Unimicron(欣兴)、三星电机等顶级基板厂商集中扩大高收益产品FCBGA的产能,导致全球BT基板供需担忧升温。

2026年4月基板售价已经上调过一次。虽然这主要反映了金、铜等原辅材料价格上涨,但报告推测其中也部分反映了下半年的供需担忧。下半年英伟达Rubin相关的普通内存供应,以及中国内存厂商DDR5出货扩大都已排上日程,基板需求将进一步增加。[推断: 报告推测]

验证要点:缺货信号看LTA

报告给出的最有效的观察工具是LTA(长期供货协议)的签订。2020年3月Simmtech与美光签订了单一销售/供应合约,在交货周期较短的基板行业中,1,000亿韩元以上的大规模合约实属罕见。以那次公告为起点,实际供给不足加剧,行业正式进入涨价周期。[事实: 历史案例]

因此这条轴线的实战含义很明确:与其抢先买入受益股,不如先确认供应合约公告、售价、稼动率。一旦出现LTA公告,就可以将其解读为与2020年类似的周期启动信号。


场景二:eSSD控制器,SK海力士定下了合作伙伴

第二份报告是韩亚证券权泰宇分析师撰写的《ASICLAND:海力士选中的eSSD合作伙伴》(2026年7月8日)。[事实: 韩亚证券报告]

公司与合约

ASICLAND(445090)是2016年成立的设计公司,是韩国国内唯一同时拥有TSMC VCA(Value Chain Alliance)和Arm Total Design双重合作伙伴资格的企业。业务分为AI、HPC等非内存ASIC,以及eSSD、eMMC等内存两大板块,员工中工程师占比超过80%。

核心事件是与SK海力士的合约。

  • 6月29日公告了与SK海力士签订的新一代eSSD控制器设计、流片支持合约。
  • 规模为319亿韩元(占2025年营收的43.7%),期限为2025年5月27日至2027年12月31日。
  • 流片已于7月1日按PCIe Gen6规格、5nm工艺完成。
  • 2028年量产启动是基本情景,但由于验证日程较为保守,也存在提前的空间。
  • 关键在于这不止是开发合约,而是能够延伸到量产的合约结构

SK海力士eSSD控制器设计公司的选择路径,经历了Gen4韩国国内A公司、Gen5台湾GUC,到Gen6由ASICLAND接棒。[事实: 报告]

需求与业绩

AI数据中心带来的eSSD需求是已确认的成长轴线。1Q26全球企业级SSD前五大厂商合计营收为184.6亿美元,环比+86.1%,创历史新高(TrendForce)。2026年预计将是企业级SSD晋升为NAND最大应用领域的一年。[事实: TrendForce]

ASICLAND的量产节奏也在依序推进。

  • eMMC卡控制器已经产生量产营收,预计将扩大至年400-500亿韩元以上规模
  • 面向FADU的Gen6控制器采用6nm工艺,预计2027年下半年量产
  • 下一代Gen7开发项目有望在年内签约

1Q26营收为540亿韩元(同比+242.4%),营业亏损收窄至30亿韩元。随着此次合约金额的反映,2026年营收指引从1,600亿韩元上调至1,800亿韩元,预计全年实现扭亏为盈。[事实: 报告]

验证要点:ASICLAND的合约不等于FADU的营收

这里有一点需要区分开来。报告提到面向FADU的Gen6控制器将于2027年下半年量产,这与当前的FADU持仓直接相关。但ASICLAND的合约并不能保证会转化为FADU的客户需求与营收。ASICLAND是设计控制器的设计公司,FADU是销售搭载该控制器的SSD的公司,两家公司在价值链中的位置不同。[推断: 价值链区分]

因此在观察FADU时,不应止步于ASICLAND的合约公告,而要另行确认FADU的正式订单与营收确认时间表。方向已经明确,但营收是另一个需要单独确认的事件。


场景三:传统内存,中国填补了三大厂让出的空位

第三份报告是韩亚证券白承慧分析师撰写的《兆易创新:受益于全球供给缺口而成长的传统内存企业》(2026年7月14日)。[事实: 韩亚证券报告]

公司:与CXMT同根同源

兆易创新(603986)是中国传统DRAM、SLC NAND Flash、NOR Flash、MCU市场份额第一的企业。CXMT(长鑫存储)由朱一明于2005年创立,是同一位创始人旗下的另一家内存企业,朱一明目前兼任兆易创新董事长。兆易创新对CXMT投资了1.8%的少数股权,CXMT则为兆易创新代工生产DRAM,双方存在协作关系。[事实: 报告]

分工十分清晰。CXMT专注于DDR5/LPDDR5以上的通用DRAM与HBM,兆易创新则负责NOR Flash、SLC NAND等特殊内存,以及DDR4/LPDDR4以下的传统DRAM和MCU。也就是说,在CXMT向上追赶行业前沿的同时,兆易创新在下方吸收传统产品的供给空白。

业绩:空白造就的超预期

2Q26的初步业绩用数字印证了这一结构。

  • 初步营收73亿元,同比+226%,超出市场一致预期46%
  • 归属母公司净利润54亿元,同比+1,496%,超出市场一致预期77%

业绩向好的原因是主力产品ASP上涨与市场份额扩大。随着全球主要内存厂商将生产重心持续转向HBM、DDR5、3D NAND,传统DRAM、NAND供需趋紧,最近一年间兆易创新的SLC NAND ASP上涨约5倍,传统DRAM ASP上涨约10倍。[事实: 报告]

下半年催化剂与验证要点

下半年的上涨动能有两个来源。第一,铠侠、美光缩减传统NAND量产,SLC NAND价格上涨趋势将持续。兆易创新凭借与CXMT的合作,是少数能在未来2-3年内扩大DDR4产能的厂商之一。NOR Flash全球份额目标是从目前的约20%,在3-5年内扩大到25%。第二,定制化3D DRAM的大规模出货。面向汽车智能座舱、AI PC、机器人等AI相关的定制化DRAM,预计将从2026年下半年开始贡献营收。[推断: 报告展望]

这份报告的双重含义正是验证要点。兆易创新的高速成长,既是内存景气宽度扩大的证据,也是观察中国厂商填补空白速度的资料。三大厂让出的空位被中国填补的速度有多快,也会影响韩国内存厂商传统产品的价格上限。这与长鑫存储IPO与内存价格风险一文中讨论的客户端DRAM价格上限逻辑属于同一脉络。


综合:宽度扩大的景气,以及三个确认按钮

把三份报告叠加起来看,结论只有一个。内存景气如今已不再只是HBM一家的故事。三大厂越是将资源集中投向HBM、DDR5,其两侧和下方就越会出现供给缺口,而这些缺口又催生出各自独立的受益机会。封装基板、eSSD控制器、传统内存正各自搭乘属于自己的周期。

不过三条轴线都存在叙事与营收之间的确认按钮

轴线叙事需要按下的确认按钮
封装基板大面积化、高层数化侵蚀实质产能LTA公告、售价、稼动率
eSSD控制器SK海力士采用Gen6,转向量产FADU的正式订单与营收确认时间表
传统内存中国吸收三大厂让出的空白,ASP暴涨中国填补空白的速度

换言之,这三份报告不是让你抢先买入受益股的信号,而是一张告诉你确认哪些指标就能判断周期是否真正启动的地图。LTA公告是否出现,FADU的营收是否真正确认,中国传统产品扩产是否会重新压低价格,这三个按钮标示出叙事转化为事实的临界点。


本文基于韩亚证券公开发布的三份报告(2026年7月3日内存封装基板、7月8日ASICLAND、7月14日兆易创新)的详细内容,整合为一个统一框架。文中引用的目标价与展望均为该证券公司的观点,提及的个股仅作为说明产业结构的示例,并非针对特定个股的买入或卖出建议。报告中的数据与展望均以发布时点为准,此后可能发生变化。投资判断与责任由投资者本人承担。


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